Tuotekatsaus

6-tuuman CCP-etsaustyökalu pieneen-ja-keskikokoiseen tuotantoon sekä T&K-toimintaan. Käyttämällä CCP-tekniikkaa sen yksikammio tuottaa plasmaa materiaalien syövyttämistä varten; haihtuvat sivutuotteet poistetaan tyhjiön kautta. Se toimii enintään 6 -tuumaisten kiekkojen kanssa, ja se tarjoaa joustavia, kustannustehokkaita-ratkaisuja matalan-tai keskitarkkoihin mikrorakenteisiin, jotka ovat ihanteellisia sekä teollisuuteen että laboratorioihin.

Edut

Erittäin tehokas tila-

Sen yksi{0}}kammiorakenne pitää jalanjäljen pienenä-täydellisenä ahtaissa tuotantolinjoissa tai laboratorioissa, ja se pienentää myös asennuskustannuksia.

Helppoa budjettiin

Olemme tarkentaneet suunnittelua ja käyttäneet hyväksi havaittuja -ja-oikeita komponentteja, joten se tarjoaa vakaan suorituskyvyn ilman, että se rikkoo pankkia.

Super monipuolinen

Se käsittelee Si:n, SiO₂:n, SiNₓ:n, Au:n, Ta{0}}etsauksen. Riippumatta siitä, mitä työskentelet, se kattaa sinut.

Räätälöity prosessifokus

Se soveltuu erinomaisesti valoresistin puhdistukseen ja dielektriseen etsaukseen tarkalla parametrisäädöllä, jotta tulokset pysyvät yhdenmukaisina joka kerta.

Sovellukset

01/

Mikro-nanolaitteiden valmistus:Se muotoilee mikrorakenteita pienille puolijohdeosille-täydellinen komponenteille, jotka vaativat matalaa---keskimääräistä tarkkuutta.

02/

Descum & dielektrinen etsaus:Pyyhi pois fotoresistijäämät ja etsaa dielektriset materiaalit, joten laitteesi pinnat pysyvät puhtaina ja ehjinä.

03/

T&K ja prototyyppien valmistus:Laboratoriot ja yritysten T&K-tiimit pitävät siitä -työkaluna-, joka on erinomainen uusien materiaalien, uusien rakenteiden ja prototyyppien rakentamiseen.

04/

Pienet{0}}erät:Täydellinen räätälöityjen antureiden tai mikroelektronisten moduulien valmistukseen pieninä määrinä-se tasapainottaa tehokkuutta ja kustannuksia kuin ammattilainen.

Parametrit

Luokka	Yksityiskohdat
Kiekkojen yhteensopivuus	Max . 6-tuumainen (150 mm) kiekot; yhteensopiva 4 tuuman/2 tuuman kiekkojen kanssa mukautuvien kantoaaltojen kautta
Plasmalähdetekniikka	Kapasitiivisesti kytketty plasma (CCP); yksi-taajuinen RF-virtalähde (13,56 MHz)
Tuetut Etch-materiaalit	Pii (Si), piidioksidi (SiO2), piinitridi (SiNₓ), kulta (Au), tantaali (Ta), fotoresisti
Keskeinen prosessin suorituskyky	- Etsauksen tasaisuus: Vähemmän tai yhtä suuri kuin 7 % (-kiekon sisällä, 6- tuumaa)- Etsausselektiivisyys (Si vs SiO₂): suurempi tai yhtä suuri kuin 20:1- Fotoresistin puhdistuksen tehokkuus: Suurempi tai yhtä suuri kuin 95 % jäännösten poisto
RF-tehoalue	0-500 W (säädettävä 1 W:n välein); tehon vakaus: ±1 %
Kammion kokoonpano	Yksi etsaus kammio; ruostumattomasta teräksestä valmistettu ontelo keraamisella pinnoitteella; integroitu tyhjiöpakojärjestelmä
Tyhjiön suorituskyky	Peruspaine: pienempi tai yhtä suuri kuin 5×10⁻⁵ Pa; pumppausnopeus: suurempi tai yhtä suuri kuin 300 l/s
Kaasunohjausjärjestelmä	4-kanavainen massavirran ohjain (MFC); virtausalue: 0-200 sccm kanavaa kohti; tuetut kaasut: SF6, O2, CF4, Ar, N2
Lämpötilan säätö	Istukan lämpötila: 20-80 astetta (säädettävä); lämpötilastabiilisuus: ±0,5 astetta
Tuotanto ja luotettavuus	- Eräkäsittelyaika: 3-10 minuuttia kiekkoa kohden (vaihtelee prosessin mukaan)- Keskimääräinen virheiden välinen aika (MTBF): suurempi tai yhtä suuri kuin 250 tuntia- Jalanjälki: enintään 1,2 m × 0,8 m (P × L)
Ohjausliittymä	Kosketusnäyttö HMI; PLC valvontajärjestelmä; tukee prosessireseptien tallennusta (jopa 100 sarjaa)