• Teollinen MOCVD-järjestelmä
    Nizzan-Tech CV600/CV700-sarjat ovat huippuluokan-massa-tuotantoon tarkoitettuja MOCVD-laitteita yhdistepuolijohteiden epitaksiaaliseen kasvuun. Ne käyttävät patentoitua planetaarista-satelliitin kaksoiskiertotekniikkaa moni-kiekkojen...
    Katso lisää
  • Vakio MOCVD-järjestelmä
    Nizzan-Tech MC150/MC200/MC300-sarjan MOCVD-laitteet ottavat käyttöön tiiviisti-kytketyn pystysuoran suihkupään kaasuruiskutusmallin, jossa on luontaiset epitaksiaaliset tasaisuusedut korkean-tiheyden porrastetun kaasulähteen...
    Katso lisää
  • IBD-järjestelmä
    Tämä ionisuihkupinnoituslaitteisto on erittäin{0}}tarkka ohutkalvopinnoitusjärjestelmä, joka on suunniteltu metallilangan ja ohmisen kosketusohutkalvojen valmistukseen infrapunalaitteiden valmistuksessa.
    Katso lisää
  • Kaksikammioinen-magneettisputterointijärjestelmä
    Tämä kaksikammioinen{0}}magnetronisputterointijärjestelmä on suunniteltu erityisesti infrapunapolttotason laitteiden valmistusta varten. Sen päätehtävä on levittää ZnS/CdTe-komposiittipassivointikalvoja HgCdTe-epitaksiaalisille...
    Katso lisää
  • Pystysuuntainen LPE-järjestelmä
    Tämä pystysuora nestefaasiepitaksiuuni on rakennettu HgCdTe-ohut-kalvomateriaalien neste{0}}faasiepitaksiaaliseen kasvuun, ja siinä keskitytään As-seostettujen P--tyyppisten materiaalien tuottamiseen, joita käytetään...
    Katso lisää
  • Vaakasuora LPE-järjestelmä
    Horizontal Liquid Phase Epitaxy Furnace on erityinen prosessilaitteisto, joka on rakennettu HgCdTe-ohutkalvojen nestefaasin epitaksiaaliseen kasvuun.
    Katso lisää
  • Hiilimagneettiruiskutusjärjestelmä
    Hiilikalvosputterointilaitteistomme on erityinen järjestelmä, joka on suunniteltu korkean lämpötilan{0}}hiilikalvosuojakerrosten kerrostamiseen piikarbidilaitteille. Se käyttää klusteriarkkitehtuuria, joka voidaan konfiguroida useilla...
    Katso lisää
  • GaN-MOCVD
    GaN-MOCVD on erikoistunut epitaksiaalinen kasvulaite, joka on suunniteltu korkealaatuisten-galliumnitridin (GaN) ja vastaavien yhdistepuolijohdeohutkalvojen kerrostamiseen.
    Katso lisää
  • MOCVD
    Metal{0}}Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) -laitteistomme on keskeinen valmistustyökalu, joka on tarkoitettu korkealaatuisten-epitaksiaalisten materiaalien pinnoittamiseen. Se on ammattimaisesti suunniteltu galliumarsenidin...
    Katso lisää
  • Pystysuuntainen LPCVD-järjestelmä
    Vertical LPCVD TEOS/Poly/SiN on matalapaineinen-kemiallinen höyrypinnoitusjärjestelmä puolijohteiden valmistukseen. Sitä käytetään korkealaatuisten -poly-, TEOS-, SiN- ja HTO-ohutkalvojen tallentamiseen.
    Katso lisää
  • Magnetronin ruiskutusjärjestelmä
    Tämä magnetronisputterointijärjestelmä on rakennettu metalliohutkalvopinnoitukseen puolijohteiden valmistuksessa. Sitä käytetään laajasti integroiduissa piireissä, teholaitteissa ja edistyneissä pakkauksissa.
    Katso lisää
  • MBE-järjestelmä
    Molecular Beam Epitaxy (MBE) -järjestelmämme on erittäin -tarkkuus epitaksiaalinen kasvulaitteisto, joka on tarkoitettu yhdistelmäpuolijohdemateriaaleille, erityisesti ultra-ohuille heterorakennemateriaaleille. Sitä käytetään pääasiassa...
    Katso lisää
Etusivu 12 Viimeinen sivu

Yhtenä ammattimaisimmista ohutkalvopinnoituslaitteiden valmistajista ja toimittajista Kiinassa, meillä on laadukkaat tuotteet ja hyvä hinta. Voit olla varma, että ostat mukautettuja ohutkalvopinnoituslaitteita tehtaaltamme. Ota yhteyttä nyt tarjouksen ja hinnaston saamiseksi.

Lähetä kysely