Yleisten 200 mm:n CMOS-sirujen kiekkojen valmistusprosessi.
Kemiallinen höyrypinnoitus on tekniikka, jota käytetään mikroelektronisten laitteiden valmistuksessa ohuen kalvon kerrostamiseksi, joka kalvo voi olla dielektristä materiaalia tai puolijohdetta. Fysikaalinen höyrypinnoitusteknologia käyttää inerttejä kaasuja sputterointikohteisiin ja kerrosta halutun materiaalin kiekon pinnalle. Prosessin reaktiokammion sisällä oleva korkea lämpötila ja tyhjiöympäristö voivat saada nämä metalliatomit muodostamaan rakeita, jotka voidaan sitten kuvioida ja syövyttää halutun johtavan piirin saamiseksi.
Optinen kehitys on prosessi, jossa grafiikka muunnetaan valokuvanaamiosta ohueksi kalvoksi. Optinen kehitys sisältää yleensä vaiheita, kuten fotoresistipinnoitus, paistaminen, valon kohdistus, valotus ja kehitys. Kuivaetsaus on yleisimmin käytetty etsausmenetelmä, jossa käytetään kaasua pääsyövytysväliaineena ja plasmaa reaktion ohjaamiseen. Etsaus on ei-toivotun materiaalin poistamista pinnalta.
Chemical Mechanical Polishing (CMP) on tekniikka, jossa yhdistyvät sekä mekaaninen kiillotus että happo{0}}emäsliuospohjainen kemiallinen kiillotus, mikä voi tehdä kiekon pinnasta suhteellisen tasaisen ja helpottaa myöhempiä prosesseja. Jauhamisen aikana jauhatusliete on kiekon ja jauhatusalustan välissä. CMP:hen vaikuttavia tekijöitä ovat jauhatuspään paine ja kiekon tasaisuus, pyörimisnopeus, jauhatuslietteen kemiallinen koostumus ja niin edelleen.
